长江存储128层闪存研发成功
长江存储科技有限责任公司宣布其128层QLC 3D NAND 闪存(型号: X2-6070)研发成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存,长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量。此次同时发布的还有128层512Gb TLC(3 bit/cell)规格闪存芯片(型号:X2-9060),以满足不同应用场景的需求。(财联社)

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