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赛微电子:拟10亿元投建6-8英寸硅基氮化镓功率器件

陈皮网
2021-04-04 09:20:42 阅读数:145912
4月1日,北京赛微电子股份有限公司发布公告,公司于当日与青州市人民政府签署了合作协议,共同推进6-8英寸GaN芯片晶圆制造项目的建设。

陈皮网4月4日讯 4月1日,北京赛微电子股份有限公司发布公告,公司于当日与青州市人民政府签署了合作协议,共同推进6-8英寸GaN芯片晶圆制造项目的建设。

公司拟在青州经济开发区发起投资10亿元分期建设聚能国际6-8英寸硅基氮化镓功率器件半导体制造项目,总占地面积30亩。一期建成投产后将形成6-8英寸GaN芯片晶圆5,000片/月的生产能力,二期建成投产后将形成6-8英寸GaN芯片晶圆12,000片/月的生产能力,将为全球GaN产品客户的旺盛需求提供成熟的技术支持和产能保障。(吴海燕)

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