陈皮网1月5日讯 今日，有关消息称，日本佳能计划今年3月发售新型光刻机“FPA-3030i5a”，与以往机型相比，该款光刻机将生产效率提高约17％。
该设备使用波长为365纳米的“i线”光源，支持直径从2英寸（约5厘米）到8英寸（约20厘米）的小型基板，不仅能提高目前主流的硅晶圆的生产效率，还可以提高小型晶圆较多的化合物半导体的生产效率。包括功率器件耐压性等出色的碳化硅（SiC），以及作为5G相关半导体材料而受到期待的氮化镓（GaN）等。随着纯电动汽车和物联网的普及，高性能半导体的需求有望增加。（吴海燕）
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